日韩欧美在线视频-日韩欧美国产高清91-美女搞黄网站-日本在线精品-国产精品视频大全-四虎亚洲精品-欧美性区-精品福利在线视频-在线看的免费网站-思思99精品视频在线观看-黄色av免费在线看-性欧美xxxx16少妇-美女久久久久久久久久久-海角首页-91看片一区

SD11906/SD11907/SD11956和SD11957 1200V碳化硅SiC半橋功率模塊

發布時間：2024-02-20 11:46:51     瀏覽：2213

　　Solitron Devices 推出的 SD11906、SD11907、SD11956 和 SD11957 1200V 碳化硅 (SiC) 半橋功率模塊，以最大限度地發揮 SiC 的優勢，具有獨特的穩健、簡單且具有成本效益的模塊格式。37mm x 25mm x 9mm 的外形只是競爭模塊尺寸和重量的一小部分。這種集成格式可最大限度地提高功率密度，同時通過引腳配置將環路電感降至最低，從而實現簡單的電源總線。

SD11906/SD11907/SD11956和SD11957 1200V 碳化硅SiC半橋功率模塊

　　SD11906/07/56/57 是半橋配置，具有兩個 1200V、低電阻DS(開)13mΩ SiC MOSFET。SD11906和SD11956具有續流 1200V SiC 肖特基二極管，與模塊內部的 MOSFET 并聯。引腳配置將電源總線與柵極和源控制分開，以簡化電路板布局。

　　該系列專為要求苛刻的應用而設計，例如基于航空電子設備的機電執行器和功率轉換器。工作溫度為 -55°C 至 175°C，結構包括銅基板和氮化鋁絕緣體，確保 TCE 匹配和高熱傳遞。隔離式集成溫度傳感可在SD11906和SD11907上提供高水平的溫度保護。

　　與同類最佳的硅MOSFET和IGBT相比，碳化硅具有出色的開關性能，且隨溫度的變化最小。由于能量損失和反向充電顯著降低，效率水平比硅更高，因此在打開和關閉階段需要的開關功率更高，所需的能量更少。結合高開關頻率，這意味著磁性元件更小，大大減輕了系統重量和尺寸。

相關產品推薦：

Solitron寬溫金屬封裝MOS管SD11702-650V 

Solitron寬溫金屬封裝碳化硅二級管SD11800–1200V

更多Solitron Devices SiC MOSFET相關產品信息可咨詢立維創展。

推薦資訊

  • ADI晶圓化合物半導體材料
    ADI晶圓化合物半導體材料 2021-03-18 17:13:47

    ADI?晶圓的制取包括襯底制取和外延性工藝。襯底是由半導體材料單晶材料制作而成的晶片。該基板可直接進入晶圓制造流程以生產制造半導體元器件或外延性晶圓。外延性是指在單晶襯底上生長一層新單晶的流程。

  • RO3000系列高頻電路材料Rogers
    RO3000系列高頻電路材料Rogers 2023-01-10 16:53:53

    Rogers?的RO3000高頻電路板材是種PTFE復合材質與特殊的陶瓷填料，適用于商業微波和射頻應用。RO3000系列高頻電路板材的先進性層壓板提供了超一流電氣和機械穩定性。

在線留言

在線留言