Murata村田超薄高效DCDC轉(zhuǎn)換器UltaBK系列
發(fā)布時間:2024-03-12 08:28:12 瀏覽:2995
在電子設(shè)備日新月異的今天,電源管理技術(shù)的創(chuàng)新顯得尤為重要。而Murata村田自主研發(fā)的MYTxx系列穩(wěn)壓器模塊,憑借其獨特的實質(zhì)無損開關(guān)電容器架構(gòu),正成為電源管理領(lǐng)域的一顆璀璨明星。

MYTxx系列采用了先進的2-stage PoL(Point of Load)技術(shù),這意味著它能夠在負載點提供高效、穩(wěn)定的電壓輸出。傳統(tǒng)的電源管理方式往往存在能量損耗大、體積龐大等問題,而MYTxx系列則通過優(yōu)化電路設(shè)計,實現(xiàn)了高效率、低紋波和低噪聲的電壓轉(zhuǎn)換,從而極大地提升了電源管理的性能。
村田降壓轉(zhuǎn)換兩級架構(gòu)

產(chǎn)品選型:
| 型號 | Iout (A)Max | Vin(V) | Vin(V)typ | Vout (V) | Vout (V)typ | 尺寸 (mm)W | 尺寸 (mm)L | 尺寸 (mm)T | 工作溫度(degC) |
| MYTNA1R84RELA2RA | 4A | 6V to 14.4V | 12V | 0.7V to 1.8V | 1V | 10.5mm | 9.0mm | 2.1mm | -40℃ to 105℃ |
| MYTNC1R84RELA2RA | 4A | 6V to 14.4V | 12V | 0.7V to 1.8V | 0.7V | 10.5mm | 9.0mm | 2.1mm | -40℃ to 105℃ |
| MYTNA1R84RELA2RA-EVM | 4A | 6V to 14.4V | 12V | 0.7V to 1.8V | 1V | 10.5mm | 9.0mm | 2.1mm | -40℃ to 105℃ |
| MYTNC1R84RELA2RA-EVM | 4A | 6V to 14.4V | 12V | 0.7V to 1.8V | 0.7V | 10.5mm | 9.0mm | 2.1mm | -40℃ to 105℃ |
| MYTNA1R86RELA2RA | 6A | 6V to 14.4V | 12V | 0.7V to 1.8V | 1V | 10.5mm | 9.0mm | 2.1mm | -40℃ to 105℃ |
| MYTNC1R86RELA2RA | 6A | 6V to 14.4V | 12V | 0.7V to 1.8V | 0.7V | 10.5mm | 9.0mm | 2.1mm | -40℃ to 105℃ |
| MYTNA1R86RELA2RA-EVM | 6A | 6V to 14.4V | 12V | 0.7V to 1.8V | 1V | 10.5mm | 9.0mm | 2.1mm | -40℃ to 105℃ |
| MYTNC1R86RELA2RA-EVM | 6A | 6V to 14.4V | 12V | 0.7V to 1.8V | 0.7V | 10.5mm | 9.0mm | 2.1mm | -40℃ to 105℃ |
更令人稱道的是,MYTxx系列不僅僅是一個簡單的電壓轉(zhuǎn)換模塊,它還集成了包括電感器在內(nèi)的全部無源元件。這種高度集成化的設(shè)計,不僅簡化了電路布局,還大幅削減了整體尺寸和高度,為現(xiàn)代電子設(shè)備提供了更為緊湊、高效的電源解決方案。
交錯操作以降低紋波/EMI并實現(xiàn)更好的瞬態(tài)性能:

在2芯/3芯電池或12V輸入PoL應(yīng)用中,MYTxx系列更是展現(xiàn)出了其獨特的優(yōu)勢。無論是對于需要長時間續(xù)航的移動設(shè)備,還是對于對電源穩(wěn)定性要求極高的工業(yè)設(shè)備,MYTxx系列都能提供穩(wěn)定可靠的電壓輸出,確保設(shè)備的正常運行。
此外,MYTxx系列的高效率特性也意味著它在運行過程中能夠減少能源浪費,這不僅有助于降低設(shè)備的能耗成本,還有助于實現(xiàn)綠色環(huán)保的目標。
總之,MYTxx系列穩(wěn)壓器模塊以其高效、穩(wěn)定、緊湊的特性,成為了現(xiàn)代電子設(shè)備電源管理的理想選擇。無論你是設(shè)計師還是消費者,都能從中感受到它帶來的便利和價值。選擇MYTxx系列,就是選擇了一個高效、可靠的電源管理方案,為你的設(shè)備注入源源不斷的動力。
相關(guān)推薦:
更多Murata村田相關(guān)產(chǎn)品信息可咨詢立維創(chuàng)展。
推薦資訊
Vishay BRCP系列薄膜條形MOS電容器采用堅固MOS結(jié)構(gòu),具有低介電損耗和高Q值,支持多種線焊點,A型外殼最少7個焊點,B型外殼最少15個焊點,且負載壽命穩(wěn)定性出色。其關(guān)鍵優(yōu)勢包括絕對容差低至±5%,溫度系數(shù)低至±50ppm/°C。應(yīng)用領(lǐng)域廣泛,包括混合組裝、濾波器、射頻阻斷、阻抗匹配和高頻/高功率應(yīng)用。電氣規(guī)格涵蓋電容范圍5-100pF,工作溫度-55至+150°C,最大工作電壓100V。機械規(guī)格方面,芯片基板為硅,介質(zhì)為二氧化硅,頂部覆蓋層為至少1微米厚的金,外殼尺寸和焊盤數(shù)量符合特定要求。
MICRON? DDR3 SDRAM提供比以往的DDR和DDR2SDRAM更多的帶寬。除了優(yōu)良的性能指標外,MICRON DDR3還具備較低的工作電壓范圍。其結(jié)果可能是在消耗相同或更少的系統(tǒng)功率的同時,具有更高的帶寬。
在線留言