F3L150R07W2E3_B11三級相位支路IGBT模塊Infineon英飛凌
發布時間:2024-04-26 09:15:51 瀏覽:1790

F3L150R07W2E3_B11是一款由Infineon英飛凌公司推出的三級相位支路IGBT模塊,具有以下特點和優勢:
特征描述:
1. 采用第三代 TRENCHSTOP? IGBT技術,提高了阻斷電壓能力,達到650V;
2. 低電感設計,有助于減少系統中的電磁干擾;
3. 低開關損耗,有助于提高效率和節能;
4. 低 VCEsat,減少了功率損耗;
5. 采用低熱阻Al2O3基板,有助于散熱,提高性能穩定性;
6. 緊湊型設計,占用空間小,適合需要高集成度的應用;
7. PressFIT 壓接技術,方便安裝維護;
8. 集成的安裝夾使安裝更堅固,提高了系統的可靠性。
優勢:
1. 緊湊模塊的概念,適合空間有限的應用場合;
2. 優化客戶的開發周期,降低成本,有助于客戶節約時間和成本;
3. 靈活的配置,可以滿足不同客戶的需求,提供個性化的選擇。
| onfiguration | 3-level |
| Dimensions (width) | 48 mm |
| Dimensions (length) | 56.7 mm |
| Features | PressFIT ; Phase leg |
| Housing | EasyPACK? 2B |
| IC(nom) / IF(nom) | 150 A |
| IC max | 150 A |
| Qualification | Industrial |
| Technology | IGBT3 - E3 |
| VCE(sat) (Tvj=25°C typ) | 1.45 V |
| VCES / VRRM | 650 V |
| VF (Tvj=25°C typ) | 1.55 V |
| Voltage Class max | 650 V |
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