IRF540NPBF單N溝道功率MOSFET
發布時間:2024-09-11 09:17:13 瀏覽:3907

IRF540NPBF是一款采用TO-220封裝的單N溝道功率MOSFET,具有100V的電壓額定值。以下是對該器件的詳細介紹:
封裝與基本參數
封裝類型: TO-220
極性: N溝道
最大漏源電壓 (VDS): 100V
最大漏極電流 (ID): 33A (@25°C)
最大功耗 (Ptot): 140W
最大結溫 (Tj): 175°C
最大熱阻 (RthJC): 1.1K/W
最大柵源電壓 (VGS): 20V
柵源閾值電壓 (VGS(th)): 3V (最小) 到 4V (最大)
關鍵特性
1. 平面單元結構: 具有寬安全工作區(SOA),適合高電壓和高電流應用。
2. 優化可用性: 針對分銷合作伙伴提供最廣泛的可用性進行了優化,便于采購。
3. 符合JEDEC標準: 產品認證符合行業標準,確保質量和可靠性。
4. 低頻應用優化: 針對開關頻率低于100kHz的應用進行了硅優化,適用于低頻功率轉換。
5. 高電流額定值: 能夠處理高達33A的電流,適合高功率應用。
優勢
1. 更高的耐用性: 寬SOA和平面單元結構提供了更高的耐用性和可靠性。
2. 廣泛可用性: 通過分銷合作伙伴,該器件具有廣泛的可用性,便于采購。
3. 行業標準資質: 符合JEDEC標準,確保產品的質量和可靠性。
4. 低頻高性能: 在低頻應用中表現出色,適合各種功率轉換應用。
5. 標準引腳布局: 標準引腳布局允許直接更換,便于設計集成。
6. 高電流能力: 能夠處理高電流,適合高功率應用。
應用
直流電機驅動
逆變器
開關電源 (SMPS)
照明系統
負載開關
電池供電應用
IR HiRel原為美國知名半導體品牌,現被Infineon收購。深圳市立維創展科技有限公司,優勢渠道供貨IR高可靠性系列產品,歡迎各界前來咨詢。
推薦資訊
ARIZONA Capacitors W90523PVC管狀電容器,電壓3kV至250kV DC,電容最大2.000 μf,公差±10%,絕緣電阻25-50k ΩF,耗散因數<0.6%,多種外殼材料,操作溫度-55°C至125°C,符合ISO 9001:2015和MIL-STD-202標準。
Luxium Solutions的BC-418、BC-420和BC-422是聚苯乙烯基高性能塑料閃爍體,專為超快時間測量和計數應用設計,適用于核物理、粒子探測及醫療成像。其密度1.032g/cm3,折射率1.58,耐溫-60°C至+60°C(光輸出保持95%),抗化學腐蝕但不耐有機溶劑。
在線留言