安森美SiC MOSFET技術引領高效能源的未來
發布時間:2025-11-05 09:01:05 瀏覽:244
為什么選擇SiC?
相比傳統硅器件,碳化硅(SiC)具有明顯優勢:
耐壓更高(10倍于硅)
耐溫更好(3倍于硅)
發熱更低
開關更快

安森美(onsemi) SiC MOSFET的核心優勢
安森美最新推出的1200V/900V SiC MOSFET系列(如NTHL020N120SC1)展現出顯著的技術亮點:
超低導通電阻(RDSon):大幅降低傳導損耗
優化的柵極驅動(Rg=1.81Ω):實現更快開關速度
無閾值電壓漂移:長期穩定性優于競品
高dv/dt耐受能力(>100V/ns):抗干擾性強
應用案例:在太陽能逆變器中,采用SiC MOSFET可降低系統損耗達30%,效率輕松突破98%。

主要應用場景
1. 太陽能逆變器
特點:效率更高(>98%)、體積更小
趨勢:
小型逆變器:采用SiC分立器件
大型逆變器:逐步轉向全SiC模塊
2. 電動車充電
快充樁:必須使用SiC
充電更快
設備更小
發熱更少
典型案例:特斯拉超充已全面采用SiC

深圳市立維創展科技有限公司優勢提供Onsemi的MOSFETs、AC-DC/DC-DC電源轉換器模塊及碳化硅(SiC)產品,歡迎咨詢了解。
推薦資訊
NXP恩智浦半導體作為全球半導體行業的領導者,憑借其全面的產品線和創新技術,在汽車、物聯網、安全連接和移動設備等多個領域占據主導地位。其核心產品微控制器(MCU)系列豐富多樣,從基礎到高端應用全覆蓋,基于多核架構如ARM Cortex-M系列,具備強勁性能、節能設計、多樣接口、高集成度和強大的安全性,廣泛應用于汽車電子、物聯網、消費電子、工業控制、醫療設備、能源管理和航空航天等多個領域,推動智能設備和系統的發展。
?IR-HiRel?氮化鎵(GaN)比硅具有根本的優勢。特別是高臨界電場使得GaN-HEMTs成為功率半導體器件的研究熱點。與硅MOSFET相比,GaN-HEMTs具有優異的動態導通電阻和較小的電容,非常適合于高速開關。IR-HiRel不僅節省了功率,降低了系統的整體成本,而且允許更高的工作頻率,提高了功率密度和系統的整體效率。
在線留言