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安森美SiC MOSFET技術(shù)引領(lǐng)高效能源的未來

發(fā)布時間：2025-11-05 09:01:05     瀏覽：366

　　為什么選擇SiC?

　　相比傳統(tǒng)硅器件，碳化硅(SiC)具有明顯優(yōu)勢：

　　耐壓更高(10倍于硅)

　　耐溫更好(3倍于硅)

　　發(fā)熱更低

　　開關(guān)更快

安森美SiC MOSFET技術(shù)引領(lǐng)高效能源的未來

　　安森美(onsemi) SiC MOSFET的核心優(yōu)勢

　　安森美最新推出的1200V/900V SiC MOSFET系列(如NTHL020N120SC1)展現(xiàn)出顯著的技術(shù)亮點：

　　超低導(dǎo)通電阻(RDSon)：大幅降低傳導(dǎo)損耗

　　優(yōu)化的柵極驅(qū)動(Rg=1.81Ω)：實現(xiàn)更快開關(guān)速度

　　無閾值電壓漂移：長期穩(wěn)定性優(yōu)于競品

　　高dv/dt耐受能力(>100V/ns)：抗干擾性強

　　應(yīng)用案例：在太陽能逆變器中，采用SiC MOSFET可降低系統(tǒng)損耗達30%，效率輕松突破98%。

1200V/900V SiC MOSFET

　　主要應(yīng)用場景

　　1. 太陽能逆變器

　　特點：效率更高(>98%)、體積更小

　　趨勢：

　　小型逆變器：采用SiC分立器件

　　大型逆變器：逐步轉(zhuǎn)向全SiC模塊

　　2. 電動車充電

　　快充樁：必須使用SiC

　　充電更快

　　設(shè)備更小

　　發(fā)熱更少

　　典型案例：特斯拉超充已全面采用SiC

安森美SiC MOSFET

深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司優(yōu)勢提供Onsemi的MOSFETs、AC-DC/DC-DC電源轉(zhuǎn)換器模塊及碳化硅(SiC)產(chǎn)品，歡迎咨詢了解。

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