Solitron SD11487 SiC半橋電源模塊
發布時間:2024-01-18 09:21:54 瀏覽:2749
Solitron Devices SD11487是業界首款用于高可靠性應用的密封碳化硅 (SiC) 功率模塊。

51mm x 30mm x 8mm 外形采用獨特的密封封裝形式,是市場上最小的密封高可靠性、高電壓半橋產品。集成格式可最大限度地提高功率密度,同時最大限度地降低環路電感。用于功率輸出級的 60 mil 引腳隔離在封裝的一側,以實現簡單的電源總線,而用于控制信號的另一側則隔離了 30 mil 引腳。
SD11487為半橋配置,帶有兩個1200V 12mΩ SiC MOSFET。該模塊中還包括兩個與MOSFET并聯的續流1200V SiC肖特基二極管和一個集成NTC溫度傳感器。額定連續漏極電流為 95A。
該SD11487的工作溫度為 -55°C 至 175°C,專為最苛刻的應用而設計,例如井下勘探;空間;和航空電子設備。密封銅封裝與氮化鋁直接鍵合銅基板相結合,可提供出色的導熱性和外殼隔離性。集成的溫度檢測可實現高電平溫度保護。
與同類最佳的硅MOSFET和IGBT相比,碳化硅具有出色的開關性能,并且隨溫度的變化最小。由于能量損耗和反向充電顯著降低,因此效率水平高于硅,從而在接通和關斷階段產生更高的開關功率和更少的能量。結合高開關頻率,這意味著更小的磁性元件,大大減輕了系統的重量和尺寸。
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Solitron Devices 推出的 SD11906、SD11907、SD11956 和 SD11957 1200V 碳化硅 (SiC) 半橋功率模塊,以最大限度地發揮 SiC 的優勢,具有獨特的穩健、簡單且具有成本效益的模塊格式。37mm x 25mm x 9mm 的外形只是競爭模塊尺寸和重量的一小部分。這種集成格式可最大限度地提高功率密度,同時通過引腳配置將環路電感降至最低,從而實現簡單的電源總線。
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